IRF8010STRLPBF 与 IPB083N10N3 G 区别
| 型号 | IRF8010STRLPBF | IPB083N10N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF8010STRLPBF | A-IPB083N10N3 G |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@45A,10V | 8.3mΩ@73A,10V |
| 上升时间 | - | 42ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 55nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 45S |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 80A | 80A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3830pF @ 25V | - |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 260W(Tc) | 125W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | OptiMOS3 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3830pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF8010STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@45A,10V N-Channel 100V 80A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
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STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOB1100L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 130A 500W 11.7mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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